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科研进展

纳米器件课题组在III-V族微纳光电器件的研究中取得新进展

添加时间:2022-05-16 15:58:37   浏览次数: 次

近日,公司纳米器件课题组与香港城市大学、中科院半导体所合作,在III-V族纳米线光电探测器件通讯波段偏振成像研究方面取得新进展,相关工作“Near-Infrared Polarimetric Image Sensors Based on Ordered Sulfur-Passivation GaSb Nanowire Arrays”以bw必威西汉姆联官网为第一单位在线发表在ACS Nano (DOI: 10.1021/acsnano.2c01455)。张凯博士为论文的第一作者,李玉宝教授、香港城市大学Johnny C. Ho教授、中科院半导体所魏钟鸣研究员和沈国震研究员为共同通讯作者。

作者选用窄禁带(0.726 eV)III-V族化合物GaSb作为通讯波段1.55 μm近红外光的探测材料,采用化学气相沉积的方法成功制备了S元素表面钝化的GaSb纳米线。利用微纳器件加工技术制备了基于GaSb纳米线的近红外偏振光电探测器,研究显示器件在室温下对通讯波段1.55 μm的近红外光峰值响应度可达9.39×102 A/W,峰值探测率可达1.10×1011 Jones。同时,由于GaSb纳米线一维几何结构介电常数空间分布的不对称性,器件可以实现对不同偏振状态1.55 μm的近红外光的探测识别,二向色性比可达2.65。此外,作者还制备了基于GaSb纳米线有序阵列的近红外偏振图像传感器,实现了对不用偏振状态近红外光的简单成像,这对大规模纳米线有序阵列器件的实际应用具有极好的指导意义。

以上工作得到了国家自然科学基金、中国科学院战略重点研究项目、中国博士后基金面上项目、河北省自然科学基金、河北省百人计划、bw必威西汉姆联官网高层次人才培育计划项目的资助以及学院大型仪器平台/分析测试中心支持。

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